标准编号：GB/T 26066-2010
标准名称：硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法
英文名称：practice for shallow etch pit detection on silicon
发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会
起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司
标准状态：现行
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。
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