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T/CASAS 001-2018 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

标准编号:T/CASAS 001-2018
标准名称:碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范
英文名称:General Specification for Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes
发布部门:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位:中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所、株洲中车时代电气股份有限公司、龙腾半导体有限公司
标准状态:现行
发布日期:2018-09-21
实施日期:2018-09-21
标准格式:PDF
内容简介
碳化硅(SiC)是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一,具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性,可制作性能更加优异的高效、高温、高频、大功率、抗辐射功率器件。不仅能够在直流、交流输电,不间断电源,开关电源,工业控制等传统工业领域广泛应用,而且在太阳能、风能、电动汽车航空航天等领域也具有广阔的应用前景。
随着SiC 肖特基势垒二极管的技术发展、市场逐步开启,Si二极管的标准在某些方面的规定既不能体现SiC二极管优越的特性,也限制了SiC二极管在某些突出特性方面的发展,制定《碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范》,以支撑产品的设计、生产、测量、验收等工作。
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