标准编号：GB/T 14146-2009
标准名称：硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
英文名称：Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
标准状态：现行
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了硅外延层载流子浓度汞探针电容－电压测量方法。
本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。
本标准适用于同质的硅外延层载流子浓度测量。
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