- T/IAWBS 013-2019 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法
2020年8月24日 ... SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料,由于自身的物理性能的优势,碳化硅作为
- T/IAWBS 012-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法
2020年8月24日 ... 碳化硅作为第三代高功率半导体新材料的代表,碳化硅器件已经获得了业界极大的期望和关注。面向市场的快速普及,对碳化硅抛光片的质量提出更高
- T/IAWBS 011-2019 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法
2020年8月24日 ... 碳化硅作为第三代半导体,在耐高温、耐高压、耐大电流等领域有独特的功能和作用,其技术发展的成熟度越来越高,从原材料到功能模块,已经形成
- T/IAWBS 010-2019 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法
2020年8月24日 ... 随着SiC产业的发展,获得完美表面的SiC单晶抛光片已成为碳化硅材料应用的关键环节之一。为了制造高性能的SiC电力电子器件,要求晶片晶格完整,具
- T/IAWBS 009-2019 功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验
2020年8月24日 ... 高温高湿反偏测试是考核器件在高温高湿偏压条件下的耐久性的一项可靠性试验,其主要的失效机理为与湿度相关的腐蚀、电化学效应引起的阻断能力
- T/IAWBS 008-2019 SiC晶片的残余应力检测方法
2020年8月24日 ... 近年来,以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗
- T/HZPVA 002-2019 附加型工商业屋顶光伏发电系统运行维护规程
2020年8月24日 ... 运行维护、设备管理、安全生产、文明生产、新技术应用
- T/CRIA 18002-2019 停车楔
2020年8月24日 ... 本标准规定了停车楔的术语和定义、产品规格、技术要求、试验方法、检验规则、出厂标志、包装、运输与贮存。本标准规定的停车楔适用于车长不小
- T/SZFAA 04-2019 家禽饲养光照技术规范
2020年8月24日 ... 1、完整体现家禽生物光学响应机理2、基于生物光学技术应用的首个标准规范3、首次提出家禽光照响应评估规则(R-R-A规则)4、家禽灯设计与制造系统
- T/SMAFA 001-2019 桃栽培模式与机械化作业生产技术规范
2020年8月24日 ... 本标准规定了桃生产过程中的术语和定义、要求、栽培模式、土肥管理、肥水管理、整形修剪、花果管理、果实套袋、病虫防治、杂草处置、果实采摘
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