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SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度

标准编号:SJ/T 2658.8-2015
标准名称:半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度
英文名称:Measuring method for semiconductor infrared-emitting diode-Part 8:Radiant intensity
发布部门:中华人民共和国工业和信息化部
起草单位:工业和信息化部电子工业标准化研究院
标准状态:现行
发布日期:2015-10-10
实施日期:2016-04-01
标准格式:PDF
内容简介
规定了半导体红外发射二极管辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。
本部分适用于半导体红外发射二极管。
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