标准编号：T/IAWBS 001-2017
标准名称：碳化硅单晶
英文名称：Monocrystalline silicon carbide
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、北京天科合达半导体股份有限公司、北京天科合达新材料有限公司、新疆天科合达半导体股份有限公司、中国科学院物理研究所、中国科学院半导体研究所、中国电子科技集团公司第四十六研究所、北京华进创威电子有限公司、北京三平泰克科技有限责任公司、河北同光晶体有限公司、山东大学、全球能源互联网研究院
标准状态：现行
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了4H及6H碳化硅单晶的必要的相关性术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检测规则以及标志、包装、运输、贮存等。
本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件的外延衬底。
本标准适用于物理气相传输法制备的4H及6H碳化硅单晶。产品主要用于制作半导体照明、电力电子器件及微波器件的外延衬底。
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