标准编号：T/IAWBS 003-2017
标准名称：碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
英文名称：Silicon carbide epitaxial layers—Determination of carrier concentration—Mercury probe capacitance-voltages method
发布部门：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟
起草单位：中关村天合宽禁带半导体技术创新联盟、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、全球能源互联网研究院、东莞天域半导体科技有限公司、北京天科合达半导体股份有限公司、中国电子科技集团公司第五十五研究所
标准状态：现行
发布日期：2017-12-20
实施日期：2017-12-31
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法——汞探针电容-电压法。
本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度,载流子浓度测量范围为：1×1014cm-3～5×1017 cm-3。
本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压下耗尽层的宽度,载流子浓度测量范围为：1×1014cm-3～5×1017 cm-3。
本标准也可适用于碳化硅衬底载流子浓度的测量。
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