标准编号：T/ZZB 2833-2022
标准名称：高压MOSFET用200 mm硅外延片
英文名称：200 mm silicon epitaxial wafers for high voltage MOSFET
发布部门：浙江省品牌建设联合会
起草单位：浙江金瑞泓科技股份有限公司、金瑞泓科技（衢州）有限公司
标准状态：现行
发布日期：2022-12-08
实施日期：2022-12-31
标准格式：PDF
内容简介
本文件规定了高压MOSFET用200 mm硅外延片（以下简称硅外延片）的术语和定义、基本要求、技术要求、试验方法、检验规则、包装、标志、 质量证明书、 运输和贮存及质量承诺。
本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 。
本文件适用于直径为200 mm、外延层厚度为40 μm～80 μm、在n型重掺砷硅抛光片上生长n型掺磷外延层、晶向的硅外延片。产品主要用于制作高压金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET） 器件（简称高压MOSFET） 。
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