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DB13/T 5695-2023 GaN HEMT射频器件陷阱效应测试方法

标准编号:DB13/T 5695-2023
标准名称:GaN HEMT射频器件陷阱效应测试方法
发布部门:河北省市场监督管理局
起草单位:河北博威集成电路有限公司、中国电子科技集团公司第十三研究所等
发布日期:2023-05-06
实施日期:2023-06-06
标准状态:现行
标准格式:PDF
文件大小:912.85 KB
内容简介
DB13/T 5695-2023 GaN HEMT射频器件陷阱效应测试方法;
GaN HEMT射频器件陷阱效应测试方法 DB13/T 5695-2023
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