标准编号：T/CASAS 032-2023
标准名称：碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法
英文名称：Test method for the content of metal elements on the surface of silicon carbide wafer—Inductively coupled plasma mass spectrometry
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位：山东大学、广州南砂晶圆半导体技术有限公司、瀚天天成电子科技(厦门)有限公司、广东天域半导体股份有限公司、泰科天润半导体科技（北京）有限公司、杭州海乾半导体有限公司、安徽长飞先进半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准状态：现行
发布日期：2023-06-19
实施日期：2023-06-19
标准格式：PDF
内容简介
本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。
本文件适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞等元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1012 cm-2。
本文件适用于100 mm(4吋)～200 mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。
注： 碳化硅晶片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。
本文件适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金、汞等元素含量的测定，测定范围为108 cm-2～1012 cm-2。
本文件适用于100 mm(4吋)～200 mm(8吋)碳化硅原生晶片、碳化硅退火片等无图形碳化硅晶片表面痕量金属元素含量的测定。
注： 碳化硅晶片表面的金属元素含量以每平方厘米的原子数计。
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