标准编号：T/CASAS 043-2024
标准名称：SiC MOSFET高温反偏试验方法
发布部门：第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位：
发布日期：2024-11-19
实施日期：2024-11-19
标准状态：现行
标准格式：PDF
文件大小：748.38 KB
内容简介
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）高温反偏试验方法，包括：试验装置、试验程序以及失效判据。
本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。
本文件适用范围：SiC MOSFET分立功率器件，功率模块。
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