T/CASAS 045-2024 SiC MOSFET动态栅偏试验方法

本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFETs）动态栅偏试验方法，包括：试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。
本文件适用于对SiC MOSFET栅氧质量的评估，主要包括芯片、分立器件、模块。