标准编号：T/CASAS 047-2025
标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法
英文名称：Dynamic high-humidity, high-temperature reverse bias test method (DH3TRB) for silicon carbide metal-oxide semiconductor filed effect transistor (SiC MOSFET)
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位：工业和信息化部电子第五研究所、忱芯科技(上海)有限公司、中国科学院电工研究所、比亚迪半导体股份有限公司、清纯半导体(宁波)有限公司、复旦大学宁波研究院、东风汽车集团有限公司、深圳平湖实验室、湖北九峰山实验室、深圳市禾望电气股份有限公司、中国电力科学研究院有限公司、一汽旗新动力(长春)科技有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、西安交通大学、合肥功立德半导体科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司、广东省东莞市质量监督检测中心、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准状态：现行
发布日期：2025-12-30
实施日期：2025-12-30
标准格式：PDF
内容简介
本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法。
本文件适用于SiC MOSFET分立器件和功率模块评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化评价。
本文件适用于SiC MOSFET分立器件和功率模块评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化评价。
下载地址