2026年4月25日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)动态栅偏(DGS)试验方法。本文件适用于对SiC MOSFET分立器件和功率模块评估交流栅极应力下栅氧质量。

2026年4月25日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高压高温高湿反偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围:SiC M

2026年4月25日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温反偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围:SiC MOSFET分立

2026年4月25日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)高温栅偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围:SiC MOSFET分立

2026年4月25日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的栅极电荷试验方法,包括:试验原理、试验电路、试验条件以及数据处理方法。本文件仅适

2026年4月25日 ... 本文件描述了双脉冲测试条件下SiC MOSFET功率器件开关动态测试的术语和定义、符号、测试电路、测试条件、测试仪器、测试方法、计量方法等相关内容

2026年4月25日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法。本文件适用于N沟道SiC MOSFET晶圆、芯片及封装产品的测试。

2026年4月25日 ... 本文件规定了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)功率循环试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用于不带反向并联肖

2026年4月25日 ... 本文件描述了用于硬开关切换电路的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法,包括原理、测试条件、测试程序、数据记录和处理、试

2026年4月25日 ... 本标准确立了葡萄酒健康饮用的基本原则,规定了葡萄酒健康饮用的术语和定义、饮用量、饮用方式、饮用时间、饮食搭配以及相关风险提示。本标准旨