T/CASAS 021-2025 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法

标准编号：T/CASAS 021-2025

标准名称：碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)阈值电压测试方法

英文名称：Threshold voltage test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistor(SiC MOSFET)

发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

起草单位：中国电子科技集团第五十五研究所、南京第三代半导体技术创新中心有限公司、扬州国扬电子有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、工业和信息化部电子第五研究所、东南大学、合肥功立德半导体科技有限公司、广电计量检测集团股份有限公司、浙江大学、浙江大学绍兴研究院、深圳平湖实验室、湖北九峰山实验室、是德科技(中国)有限公司、博测锐创半导体科技(苏州)有限公司、北京励芯泰思特测试技术有限公司、山东大学、泰科天润半导体科技(北京)有限公司、西安交通大学、朝阳微电子科技股份有限公司、山东阅芯电子科技有限公司、江苏第三代半导体研究院有限公司、芯迈半导体技术(杭州)股份有限公司、芯合半导体(合肥)有限公司、广东能芯半导体科技有限公司、南京邮电大学、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟

标准状态：现行

发布日期：2025-12-30

实施日期：2025-12-30

标准格式：PDF