标准编号：GB/T 13389-1992
标准名称：掺硼掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
英文名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped and phosphorus-doped silicon
发布部门：国家技术监督局
起草单位：峨嵋半导体材料研究所
标准状态：作废
发布日期：1992-02-19
实施日期：1992-10-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了23℃时掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂剂浓度间的换算方法。
本标准适用于掺杂剂浓度1012～1021cm-3(电阻率0.0001～10，000Ω·cm)掺硼硅单晶和1012～5×1020cm-3(电阻率0.0002～4,000Ω·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算，也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
本标准适用于掺杂剂浓度1012～1021cm-3(电阻率0.0001～10，000Ω·cm)掺硼硅单晶和1012～5×1020cm-3(电阻率0.0002～4,000Ω·cm)掺磷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度的换算，也可扩展到硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
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