标准编号：GB/T 14863-1993
标准名称：用栅控和非栅控二极管的电压-电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的标准方法
英文名称：Standard test method for net carrier density in silicon epitaxial layers by voltage-capacitance of gated and ungated diodes
发布部门：国家技术监督局
起草单位：机械电子工业部46所和4所
标准状态：作废
发布日期：1993-12-30
实施日期：1994-10-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的原理、仪器与材料、样品制备、测量步骤和数据处理。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录B)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。
本标准适用于外延层厚度不小于某一最小厚度值(见附录B)的相同或相反导电类型衬底上的n型或p型外延层，也适用于体材料。
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