标准编号：GB/T 4058-2009
标准名称：硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
英文名称：Test method for detection of oxidation induced defects in polished silicon wafers
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位：峨嵋半导体材料厂
标准状态：现行
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
本标准适用于硅抛光片表面区在模拟器件氧化工艺中诱生或增强的晶体缺陷的检测。
硅单晶氧化诱生缺陷的检验也可参照此方法。
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