标准编号：GB/T 1553-2009
标准名称：硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
英文名称：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位：峨嵋半导体材料厂
标准状态：现行
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测量方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。
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