标准编号：GB/T 1557-2006
标准名称：硅晶体中间隙氧含量的红外吸收测量方法
英文名称：The method of determining interstitial oxygen content in silicon by infrared absorption
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位：峨眉半导体材料厂
标准状态：现行
发布日期：2006-07-18
实施日期：2006-11-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了采用红外光谱法测定硅单晶中的间隙氧含量的方法。
本标准适用于室外温电阻率大于0.1Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm中间的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3到硅中间隙氧的最大固熔度。
本标准适用于室外温电阻率大于0.1Ω·cm的n型硅单晶和室温电阻率大于0.5Ω·cm中间的p型硅单晶中间隙氧含量的测量。
本标准测量氧含量的有效范围从1×1016at·cm-3到硅中间隙氧的最大固熔度。
下载地址