标准编号：GB/T 24574-2009
标准名称：硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
英文名称：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
标准状态：现行
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1 1011at.cm-3~5 1015 at.cm-3的各种电活性杂质元素。
本标准的附录A和附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。
本标准用于检测单晶硅中含量为1 1011at.cm-3~5 1015 at.cm-3的各种电活性杂质元素。
本标准的附录A和附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
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