标准编号：GB/T 24577-2009
标准名称：热解吸气相色谱法测定硅片表面的有机污染物
英文名称：Test methods for analyzing organic contaminants on silicon wafer surfaces by thermal desorption gas chromatography
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
标准状态：现行
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了硅片表面的有机污染物的定性和定量方法，采用气质联用仪或磷选择检测器或者两者同时采用。
本标准修改采用SEMI MF 1982—1103《热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法》。本标准对SEMI MF 1982—1103格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMI MF 1982—1103章条对照一览表。并对SEMI MF 1982—1103条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMI MF 1389—0704相比，主要技术差异如下：
——去掉了“目的”、“关键词”；
——将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A。
本标准的附录A、附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人：王奕、褚连青、李静。
本标准修改采用SEMI MF 1982—1103《热解吸附气相色谱法评估硅片表面有机污染物的方法》。本标准对SEMI MF 1982—1103格式进行了相应调整。为了方便比较，在资料性附录B中列出了本标准章条和SEMI MF 1982—1103章条对照一览表。并对SEMI MF 1982—1103条款的修改处用垂直单线标识在它们所涉及的条款的页边空白处。
本标准与SEMI MF 1389—0704相比，主要技术差异如下：
——去掉了“目的”、“关键词”；
——将实际测试得到的单一试验室的精密度结果代替原标准中的精度和偏差部分，并将原标准中的精度和偏差部分作为资料性附录A。
本标准的附录A、附录B为资料性附录。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会提出。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会归口。
本标准起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所。
本标准主要起草人：王奕、褚连青、李静。
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