标准编号：GB/T 14847-2010
标准名称：重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法
英文名称：Test mothod for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates by infrared reflectance
发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会
起草单位：宁波立立电子股份有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
标准状态：现行
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法。本标准适用于衬底在23℃电阻率小于0.02Ω·cm和外延层在23℃电阻率大于0.1Ω·cm且外延层厚度大于2微米的n型和p型硅外延层厚度的测量；在降低精度情况下，该方法原则上也适用于测试0.5微米~2微米之间的n型和p型外延层厚度。
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