标准编号：GB/T 25188-2010
标准名称：硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法
英文名称：Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位：中国科学院化学研究所、中国计量科学研究院
标准状态：现行
发布日期：2010-09-26
实施日期：2011-08-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了一种准确测量硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的方法，即X射线光电子能谱法（XPS）。本标准适用于热氧化法在硅晶片表面制备的超薄氧化硅层厚度的准确测量；通常，本标准适用的氧化硅层厚度不大于6 nm。
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