标准编号：GB/T 6617-2009
标准名称：硅片电阻率测定 扩展电阻探针法
英文名称：Test method for measuring resistivity of silicon wafer using spreading resistance probe
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位：南京国盛电子有限公司、宁波立立电子股份有限公司
标准状态：现行
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了硅片电阻率的扩展电阻探针测量方法。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10 Ωcm～10 Ω·cm。
本标准适用于测量晶体晶向与导电类型已知的硅片的电阻率和测量衬底同型或反型的硅片外延层的电阻率，测量范围:10 Ωcm～10 Ω·cm。
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