标准编号：GB/T 13389-2014
标准名称：掺硼掺磷掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度换算规程
英文名称：Practice for conversion between resistivity and dopant density for boron-doped, phosphorus-doped, and arsenic-doped silicon
发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会
起草单位：有研半导体材料股份有限公司、四川新光硅业科技有限责任公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、杭州海纳半导体有限公司、浙江金瑞泓科技股份有限公司、西安隆基硅材料
标准状态：现行
发布日期：2014-12-31
实施日期：2015-09-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了掺硼、掺磷、掺砷硅单晶电阻率与掺杂剂浓度之间的换算关系，该换算关系也适用于掺锑硅单晶，还可扩展至硅中激活能与硼、磷相似的其他掺杂剂。
本标准适用于掺硼浓度1014 cm-3～1×1020cm-3，掺磷浓度3×1013 cm-3～1×1020 cm-3，掺砷浓度1019 cm-3～6×1020cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012cm-3。
本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算，但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算，或任何其他载流子浓度的换算。
本标准适用于掺硼浓度1014 cm-3～1×1020cm-3，掺磷浓度3×1013 cm-3～1×1020 cm-3，掺砷浓度1019 cm-3～6×1020cm-3。对掺硼、掺磷的硅单晶掺杂剂浓度可扩展到1012cm-3。
本标准也可用于在23℃下从硅单晶电阻率到载流子浓度的换算，但不包括对砷掺杂剂的载流子浓度换算，或任何其他载流子浓度的换算。
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