标准编号：GB/T 32495-2016
标准名称：表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法
英文名称：Surface chemical analysis—Secondary-ion mass spectrometry—Method for depth profiling of arsenic in silicon
发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
标准状态：现行
发布日期：2016-02-24
实施日期：2017-01-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准中，详细规定了用扇形磁场或四极杆式二次离子质谱仪对硅中砷进行深度剖析的方法，以及用触针式轮廓仪或光学干涉仪深度定标的方法。
本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016atoms/cm3 到 2.5×1021atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50nm及以上。
本标准适用于砷原子浓度范围从1×1016atoms/cm3 到 2.5×1021atoms/cm3的单晶硅、多晶硅、非晶硅样品，坑深在50nm及以上。
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