标准编号：GB/T 31225-2014
标准名称：椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法
英文名称：Test method for the thickness of silicon oxide on Si substrate by ellipsometer
发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会
起草单位：上海交通大学、纳米技术及应用国家工程研究中心
标准状态：现行
发布日期：2014-09-30
实施日期：2015-04-15
标准格式：PDF
内容简介
本标准给出了使用连续变波长、变角度的光谱型椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法。
本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm-1000nm厚的二氧化硅薄层厚度，其它对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。
本标准适用于测试硅基底上厚度均匀、各向同性、10nm-1000nm厚的二氧化硅薄层厚度，其它对测试波长处不透光的基底上单层介电薄膜样品厚度测量可以参考此方法。
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