标准编号：GB/T 34481-2017
标准名称：低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
英文名称：Test method for measuring etch pit density(EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
发布部门：国家质检总局 国家标准委
起草单位：云南中科鑫圆晶体材料有限公司、云南临沧鑫圆锗业股份有限公司、中科院半导体研究所
标准状态：现行
发布日期：2017-10-14
实施日期：2018-07-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了低位错密度锗单晶片的腐蚀坑密度(EPD)的测量方法。
本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm2、直径为75 mm～150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
本标准适用于测试位错密度小于1 000个/cm2、直径为75 mm～150 mm的圆形锗单晶片的位错腐蚀坑密度。
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