标准编号：GB/T 26068-2018
标准名称：硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法
英文名称：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers and silicon ingots—Non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance method
发布部门：国家市场监督管理总局、中国国家标准化管理委员会
起草单位：有研半导体材料有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、浙江省硅材料质量检验中心、广州市昆德科技有限公司、江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、天津市环欧半导体材料技术有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司
标准状态：现行
发布日期：2018-12-28
实施日期：2019-11-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了单晶和铸造多晶的硅片及硅锭的载流子复合寿命的非接触微波反射光电导衰减测试方法。
本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm～10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。
本标准适用于硅锭和经过抛光处理的n型或p型硅片(当硅片厚度大于1 mm时，通常称为硅块)载流子复合寿命的测试。在电导率检测系统灵敏度足够的条件下，本标准也可用于测试切割或经过研磨、腐蚀的硅片的载流子复合寿命。通常，被测样品的室温电阻率下限在0.05 Ω·cm～10 Ω·cm之间，由检测系统灵敏度的极限确定。载流子复合寿命的测试范围为大于0.1 μs，可测的最短寿命值取决于光源的关断特性及衰减信号测定器的采样频率，最长可测值取决于样品的几何条件及其表面的钝化程度。
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