标准编号：SJ 21120-2016
标准名称：高电子迁移率晶体管用半绝缘砷化稼 抛光片规范
英文名称：Specification for semi-insulating gallium arsenide polished wafers for high electron mobility transistor
发布部门：国家国防科技工业局
起草单位：中国电子科技集团公司第四十六研究所
标准状态：现行
发布日期：2016-01-19
实施日期：2016-03-01
标准格式：PDF
内容简介
本规范规定了高电子迁移率晶体管用半绝缘砷化嫁抛光片的全部要求。
本规范适用于高电子迁移率晶体管用直径100mm半绝缘砷化镓抛光片（以下简称砷化镓抛光片）。
本规范适用于高电子迁移率晶体管用直径100mm半绝缘砷化镓抛光片（以下简称砷化镓抛光片）。
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