标准编号：T/CASAS 013-2021
标准名称：碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法
英文名称：Measuring method for testing the density of dislocation in SiC crystal Combined KOH etching and image recognition methods
发布部门：北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位：广州南砂晶圆半导体技术有限公司、山东大学、深圳第三代半导体研究院、广东芯聚能半导体有限公司、中国科学院半导体研究所、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准状态：现行
发布日期：2021-11-01
实施日期：2021-12-01
标准格式：PDF
内容简介
本本件规定了用化学择优腐蚀结合图像识别法检测碳化硅晶片中位错密度的方法。本文件适用于4H及6H-SiC晶片材料中Si面位错检测及其密度统计，材料表面为化学机械抛光状态。
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