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T/NXCL 30-2024 300 mm低氧含量直拉硅单晶

标准编号:T/NXCL 30-2024
标准名称:300 mm低氧含量直拉硅单晶
英文名称:300 mm low oxygen content single crystaline Czochralski silicon
发布部门:宁夏材料研究学会
起草单位:宁夏中欣晶圆半导体科技有限公司、北方民族大学、杭州中欣晶圆半导体股份有限公司、厦门大学、宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司、宁夏高创特能源科技有限公司
标准状态:现行
发布日期:2024-02-06
实施日期:2024-02-06
标准格式:PDF
内容简介
本文件规定了300 mm低氧含量直拉硅单晶的技术要求、试验方法、检验规格以及标志、包装、运输、贮存、质量证明书和质量承诺等方面的内容。
本文件适用于以电子级多晶硅为主要原材料,采用直拉法制备的直径为300 mm 的低氧含量硅单晶。产品主要用于绝缘栅双极晶体管(IGBT)等功率器件的衬底。
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