标准编号：T/ZJBDT 001.1-2025
标准名称：新型非易失性存储芯片（磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片）存储性及可靠性测试方法 第1部分：总则
发布部门：浙江省半导体行业协会
起草单位：浙江大学、浙江驰拓科技有限公司、联芸科技（杭州）股份有限公司、深圳市思恩技术有限公司、杭州华澜微电子股份有限公司、杭州电子科技大学、深圳市普科技术有限公司、杭州加速科技有限公司
发布日期：2025-01-10
实施日期：2025-01-10
标准状态：现行
标准格式：PDF
文件大小：206.21 KB
内容简介
本文件描述了磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片的存储性及可靠性测试方法。
本文件适用于磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片的存储性及可靠性的评价、认证与考核。
本文件适用于磁随机存储芯片、相变存储芯片、阻变存储芯片的存储性及可靠性的评价、认证与考核。
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