标准编号:T/CASAS 036-2025
标准名称:碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法
英文名称:Test method for purity of iso-static graphite components used in the growth of silicon carbide single crystals-Glow discharge mass spectrometry
发布部门:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位:赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、杭州海乾半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准状态:现行
发布日期:2025-04-23
实施日期:2025-04-23
标准格式:PDF
内容简介
等静压石墨是由碳骨料、沥青等原材料通过磨粉、混捏、等静压成型、焙烧、浸渍、石墨化、纯化等工艺制造而成的石墨,也称为“各向同性”石墨。等静压石墨在碳化硅单晶生长过程中应用广泛,主要用于制造碳化硅单晶生长用的热场构件,如加热器、坩埚、籽晶托等。这些构件对于单晶生长过程的稳定性和晶体质量具有重要影响,质量良好的等静压石墨热场能够有效提升晶体生长良率。碳化硅单晶生长需要在高温、高度洁净的环境中进行,任何杂质都可能对晶体生长产生不利的影响,甚至直接导致晶体质量下降或生长失败,因此等静压石墨构件的纯度是非常关键的性能指标,严格控制碳化硅单晶生长用等静压石墨的纯度是质量控制的关键。行业内通用的等静压石墨纯度测定方法有高温灼烧法和辉光放电质谱法。
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