标准搜索:

T/CASAS 048-2025 碳化硅单晶生长用等静压石墨

标准编号:T/CASAS 048-2025
标准名称:碳化硅单晶生长用等静压石墨
英文名称:Iso-static graphite for silicon carbide single crystals
发布部门:北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
起草单位:赛迈科先进材料股份有限公司、北京北方华创微电子装备有限公司、湖南三安半导体有限责任公司、山东天岳先进科技股份有限公司、山西烁科晶体有限公司、山东大学、中国科学院半导体研究所、中电化合物半导体有限公司、杭州海乾半导体有限公司、北京第三代半导体产业技术创新战略联盟
标准状态:现行
发布日期:2025-04-23
实施日期:2025-04-23
标准格式:PDF
内容简介
等静压石墨是由碳骨料、沥青等原材料通过磨粉、混捏、等静压成型、焙烧、浸渍、石墨化、纯化等工艺制造而成的石墨,也称为“各向同性”石墨。等静压石墨在碳化硅单晶生长过程中应用广泛,主要用于制造碳化硅单晶生长用的热场构件,如加热器、坩埚、籽晶托等。这些构件对于单晶生长过程的稳定性和晶体质量具有重要影响,质量良好、性能匹配的等静压石墨热场能够有效提升晶体生长良率。我国的石墨产业发展迅速,但存在“高端产能不足,中低端产能过剩”的问题。近年来,随着半导体材料性能要求的日益提高,等静压石墨材料质量成为商家关注的重点。由于碳化硅单晶生长的工况条件极为复杂,包括极高的运行温度、复杂的腐蚀情况,以及严苛的洁净度要求等,等静压石墨的性能指标变化会极大地影响到晶体生长质量,甚至直接造成生长失败。
下载地址


下载地址②

上一篇:T/CASAS 036-2025 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法
下一篇:T/CAV 011-2025 预防接种不良反应个案评估通用技术规范