2019年1月20日 ... GB/T 4937的本部分规定了非密封表面安装器件（SMDs)在可靠性试验前预处理的标准程序。本部分规定了SMDs的预处理流程。SMDs在进行规定的室内可靠性试验

2019年1月20日 ... GB/T 4937的本部分用来确定将半导体芯片安装在管座或其他基板上所使用的材料和工艺步骤的完整性(基于本试验方法的目的，本部分中半导体芯片包括无

2019年1月20日 ... GB/T 4937的本部分对已封装的半导体集成电路和半导体分立器件进行60Co γ射线源电离辐射总剂量试验提供了一种试验程序。本部分提供了评估低剂量率电

2019年1月20日 ... GB/T 4937的本部分是为了测定半导体器件在中子环境中性能退化的敏感性。本部分适用于集成电路和半导体分立器件。中子辐照主要针对军事或空间相关

2019年1月20日 ... GB/T 4937的本部分规定了耐焊接热的试验方法，以确定通孔安装的固态封装器件承受波峰焊或烙铁焊接引线时产生的热应力的能力。为制定具有可重复性

2019年1月20日 ... GB/T 4937的本部分规定了几种不同的试验方法，用来测定引线/封装界面和引线的牢固性。当电路板装配错误造成引线弯曲，为了重新装配对引线再成型加

2019年1月20日 ... GB/T 4937的本部分规定了半导体器件的盐雾试验方法，以确定半导体器件耐腐蚀的能力。本试验是模拟严酷的海边大气对器件暴露表面影响的加速试验。

2019年1月20日 ... GB/T 4937的本部分的目的是测定在规定频率范围内，振动对器件的影响。本试验是破坏性试验，通常用于有空腔的器件。本试验与GB/T 2423.10-2008基本一致，

2019年1月20日 ... GB/T 4937的本部分规定了快速温度变化——双液槽法的试验方法。当器件鉴定既可以采用空气-空气温度循环又可以采用快速温度变化——双液槽法试验时

2019年1月20日 ... GB/T 4678的本部分规定了压铸模用推板垫圈的结构型式和尺寸、要求、材料及标记。本部分适用于压铸模用推板垫圈。