标准编号：GB/T 14142-1993
标准名称：硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法
英文名称：Test method for crystallographic perfection of epit-axial layers in silicon by etching techniques
发布部门：国家技术监督局
起草单位：峨眉半导体材料研究所
标准状态：现行
发布日期：1993-02-06
实施日期：1993-10-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了用化学腐蚀显示，并用金相显微镜检验硅外延层晶体缺陷的方法。本标准适用于硅外延层中堆垛层错和位错密度测量。硅外延层厚度应大于2μm。
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