标准编号：GB/T 32281-2015
标准名称：太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法
英文名称：Test method for measuring oxygen,carbon,boron and phosphorus in solar silicon wafers and feedstock-Secondary ion mass spectrometry
发布部门：国家质量监督检验检疫总局、国家标准化管理委员会
起草单位：江苏协鑫硅材料科技发展有限公司、北京合能阳光新能源技术有限公司、中铝宁夏能源集团有限公司、宁夏银星多晶硅有限责任公司、洛阳鸿泰半导体有限公司、新特能源股份有限公司
标准状态：现行
发布日期：2015-12-10
实施日期：2017-01-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷元素体含量的二次离子质谱（SIMS）检测方法。
本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0.2％（即＜1*10^20 atoms/cm^3），检测下限分别为氧含量≥5*10^16 atoms/cm^3、碳含量≥1*10^16 atoms/cm^3、硼含量1*10^14 atoms/cm^3和磷含量2*10^14 atoms/cm^3 四种元素体含量的测定可使用配有一次离子源的SIMS仪器一次完成。
本标准适用于检测各元素体含量不随深度变化、且不考虑补偿的太阳能级单晶或多晶硅片或硅料中氧、碳、硼和磷元素的体含量。各元素体含量的检测上限均为0.2％（即＜1*10^20 atoms/cm^3），检测下限分别为氧含量≥5*10^16 atoms/cm^3、碳含量≥1*10^16 atoms/cm^3、硼含量1*10^14 atoms/cm^3和磷含量2*10^14 atoms/cm^3 四种元素体含量的测定可使用配有一次离子源的SIMS仪器一次完成。
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