标准编号：GB/T 35306-2017
标准名称：硅单晶中碳、氧含量的测定 低温傅立叶变换红外光谱法
英文名称：Test method for carbon and oxygen content of single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry
发布部门：国家质检总局 国家标准委
起草单位：昆明冶研新材料股份有限公司、江苏中能硅业科技发展有限公司、宜昌南玻硅材料有限公司、新特能源股份有限公司、亚洲硅业(青海)有限公司、青海黄河上游水电开发有限责任公司新能源分公司、陕西天宏硅材料有限责任公司
标准状态：现行
发布日期：2017-12-29
实施日期：2018-07-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了低温傅立叶变换红外光谱法测定硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的方法。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。
本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×10 14atoms·cm-3(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。
本标准适用于室温电阻率大于0.1 Ω·cm的N型硅单晶和室温电阻率大于0.5 Ω·cm的P型硅单晶中代位碳、间隙氧杂质含量的测定。
本标准测定碳、氧含量的有效范围从5×10 14atoms·cm-3(0.01 ppma)到硅中代位碳和间隙氧的最大固溶度。
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