- T/GSWS 010-2024 桃脯
2024年12月13日 ... 本标准适用于以鲜桃为原料,经分拣、清洗、切片去核、浸泡、添加食品添加剂柠檬酸和焦亚硫酸钠、护色、辅以白砂糖和麦芽糖浆、蒸制、干制、包
- T/GSWS 009-2024 牦牛生乳
2024年12月13日 ... 本标准适用于牦牛生乳,不适用于即食牦牛生乳
- T/GSWS 008-2024 有机特级初榨橄榄油
2024年12月13日 ... 本标准适用于以有机生产的油橄榄树的鲜果为原料,经过有机加工制得的特级初榨橄榄油
- T/CTSA 0021-2024 云演艺平台运营服务规范
2024年12月13日 ... 规定了云演艺平台运营服务的基本要求、参与主体、运营服务、人员安全保障、平台安全管理和投诉处理等要求。适用于云演艺管理机构和服务机构参
- T/CASAS 047-2024 SiC MOSFET动态高温高湿反偏(DH3RB)试验方法
2024年12月13日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态高温高湿反偏(DH3TRB)试验方法,用于评估高温高湿高dV/dt对芯片内部结构快速充电
- T/CASAS 046-2024 SiC MOSFET动态反偏(DRB)试验方法
2024年12月13日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)的动态反偏(DRB)试验方法,用于评估高dV/dt对芯片内部结构快速充电导致的老化。本文件
- T/CASAS 045-2024 SiC MOSFET动态栅偏试验方法
2024年12月13日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)动态栅偏试验方法,包括:试验条件、测试方法、应用范围以及失效判据。本文件适用
- T/CASAS 044-2024 SiC MOSFET高温高湿反偏试验方法
2024年12月13日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高压高温高湿反偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范
- T/CASAS 043-2024 SiC MOSFET高温反偏试验方法
2024年12月13日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高温反偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围:SiC MO
- T/CASAS 042-2024 SiC MOSFET高温栅偏试验方法
2024年12月13日 ... 本文件描述了碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFETs)高温栅偏试验方法,包括:试验装置、试验程序以及失效判据。本文件适用范围:SiC MO
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