- SJ/T 10495-2016 频率低于3MHz的印制板用连接器 第11部分:同轴连接器 (自由连接器和固定连接器尺寸)详细规范
2018年12月17日 ... 标准规定了连接直径为2.5 mm的二芯、三芯、四芯,3.5 mm的二芯、三芯、四芯、五芯和6.3 mm的二芯、三芯同轴连接器(自由连接器和固定连接器)的型号
- SJ/T 10211-2016 电子元器件详细规范 CC41型表面安装用1类多层瓷介固定电容器 评定水平EZ
2018年12月17日 ... 该详细规范规定了CC41型表面安装用1类多层瓷介固定电容器的尺寸、额定值和特性,并对鉴定检验和质量一致性检验等进行了规定。
- SJ/T 10210-2016 电子元器件详细规范 CT41型表面安装用2类多层瓷介固定电容器 评定水平EZ
2018年12月17日 ... 该详细规范规定了CT41型表面安装用2类多层瓷介固定电容器的尺寸、额定值和特性,并对鉴定检验和质量一致性检验等进行了规定。
- SJ/T 2658.9-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第9部分:辐射强度空间分布和半强度角
2018年12月17日 ... 规定了半导体红外发射二极管辐射强度空间分布和半强度角的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
- SJ/T 2658.8-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分:辐射强度
2018年12月17日 ... 规定了半导体红外发射二极管辐射强度的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
- SJ/T 2658.7-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分:辐射通量
2018年12月17日 ... 规定了半导体红外发射二极管辐射通量的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
- SJ/T 2658.6-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分:辐射功率
2018年12月17日 ... 规定了半导体红外发射二极管辐射功率的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
- SJ/T 2658.5-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分:串联电阻
2018年12月17日 ... 规定了半导体红外发射二极管串联电阻的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
- SJ/T 2658.4-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分:总电容
2018年12月17日 ... 规定了半导体红外发射二极管总电容的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
- SJ/T 2658.3-2015 半导体红外发射二极管测量方法 第3部分:反向电压和反向电流
2018年12月17日 ... 规定了半导体红外发射二极管反向电压和反向电流的测量原理图、测量步骤以及规定条件。本部分适用于半导体红外发射二极管。
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