标准编号：GB/T 14141-1993
标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial，diffused and ion-implanted layersusing a collinear four-probe array
发布部门：国家技术监督局
起草单位：峨眉半导体材料研究所
标准状态：作废
发布日期：1993-02-06
实施日期：1993-10-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。本标准适用于测量直径大于10.0mm用外延、扩散、离子注入到硅圆片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。
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