标准编号：GB/T 14141-2009
标准名称：硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法
英文名称：Test method for sheet resistance of silicon epitaxial, diffused and ion-implanted layers using a collinear four-probe array
发布部门：中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国国家标准化管理委员会
起草单位：宁波立立电子股份有限公司、南京国盛电子有限公司、信息产业部专用材料质量监督检验中心
标准状态：现行
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
标准格式：PDF
内容简介
本标准规定了用直排四探针测量硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的方法。
本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10Ω～5000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。
本标准代替GB/T 14141-1993《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）提出。
本标准适用于测量直径大于15.9 mm的由外延、扩散、离子注入到硅片表面上或表面下形成的薄层的平均薄层电阻。硅片基体导电类型与被测薄层相反。适用于测量厚度不小于0.2 μm的薄层，方块电阻的测量范围为10Ω～5000 Ω。该方法也可适用于更高或更低阻值方块电阻的测量，但其测量精确度尚未评估。
本标准代替GB/T 14141-1993《硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法》。
本标准由全国半导体设备和材料标准化技术委员会（SAC/TC 203）提出。
下载地址